Samsung Electronics a anunţat săptămâna trecută că a început producţia de serie a unui cip de memorie - phase change memory - care stochează informaţia prin topirea şi îngheţarea unor cristale mici.
Ideea acestui tip de memorie există din anul 1968 şi a fost avansată de fizicianul Stanford Ovshinsky.
Principiul de funcţionare este următorul: atomii, care în cristal sunt aranjaţi în mod ordonat, permit mai uşor mişcarea electronilor, în comparaţie cu sticla. Deşi principiul este relativ simplu şi cunoscut de mult timp, realizarea în practică s-a dovedit dificilă.
Avantajul faţă de memoria flash a memoriei cu schimbare de fază stă în faptul că ultima permite miniaturizarea în mai mare măsură decât memoria flash.
